海力士50nm 1Gb DDR2颗粒通过英特尔

　　天极网11月21日消息 海力士半导体 (Hynix Semiconductor)今日宣布该公司采用50纳米尖端制程的1Gb DDR2 DRAM颗粒已通过英特尔 (Intel)公司验证，确保其与Intel平台拥有最佳的兼容性。

　　海力士指出，与采用60纳米制程的同规格颗粒相比，导入50纳米尖端制程后，产能将大幅提升五成，换言之，新颗粒的制造成本更低，加上还导入了三维晶体管架构与W-DPG技术，不仅使内存的耗电量明显降低，而且能够更轻松的通过拉高频率来提升整体效能。

　　上述技术未来还将在DDR3 DRAM中采用，按计划，海力士将从明年下半年开始量产此种已通过验证的1Gb DDR2 DRAM，还有新世代的DDR3内存。

　　海力士1Gb DDR2 DRAM的适用领域不仅局限于个人电脑内存，还包括绘图内存，以及专为手机等行动设备设计的Mobile DRAM。